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Ga203与金属的接触特性研究 
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 Ga203与金属的接触特性研究

摘要:三氧化二镓是一种物理二元固体,对各种应用程序有用的金属还是有定义不清的多态性,虽然说有几篇文章利用了衍射、光谱和理论进行来说结构研究方法,这已经很好的确定了热力学。氧化镓在紫外线应用方面也有很大的潜力,也有越来越多的人去探索和发掘他的潜力。二氧化三镓如果经过灼烧是不溶于浓硝酸中还有许多酸中,当然也不溶于强碱和水溶液中,我们只能通过氢氧化钠或者氢氧化鉀来和他一起反应才能够使之溶解。
关键词:三氧化二镓;欧姆接触:金属;肖特基接触;半导体 
 
Investigation of meltal contacts on the Ga2O3
Abstract: The three oxidation of gallium is a physical two element solid. The metal that is useful to various applications is still ambiguous. Although several articles have used diffraction, spectroscopy and theory to study the structure of the structure, it has been well determined by thermodynamics. Gallium oxide has great potential in ultraviolet applications, and more and more people are exploring and exploring their potential. Two oxidation of gallium three, if burned, is insoluble in a lot of acids in concentrated nitric acid, and of course not insoluble in strong alkali and aqueous solutions, and we can only dissolve it by reacting with sodium hydroxide or potassium hydroxide.
Key words: Three oxidation of two gallium; ohmic contacts: metals; Schottky contacts; semiconductors
 
 
 
 
第一章 绪论
1.1引言
随着时代的发展,我们的日常生活和高科技联系也越来越紧密。在很传统的应用中,人们是不太关心纯度和晶体质量相关的问题的。关于氧化镓,在另一方面,半导体应用程序有很大的贡献,他为材料设定了更高的标准。质量和纯度也和公认的相似,所以建立了GaAs半导体。这是一个重大的转折点对于氧化镓来说,因为他不仅为研究找到了一个新的方法而且也促进了整个研究领域的发展,对人们的日常生活有着很大的影响。
1.2宽带半导体介绍
宽禁带氧化物或者是氮化物半导体的欧姆接触电阻一般采去表面的清洗或者是掺杂降低势垒高度,亦或是把载流子的浓度增加通过优先的氧或者是氮损失在表面。很显然,我们在从镓光电探测器的文学触电上的电流特性N型氧化物不是在线性的在低电流和表现的需要改进接触方法。大多数的电子亲和性,在氧化镓上。意味着有好多个选择需要直接的欧姆接触和界面层。这是一个相当重要的了解带对准这些异质界面。
ITO已经是普遍用于透明的电流的传播。GaN基发光二极管上的电极,由于其优异质的电学和光学性能和事实。其在加工温度与标准半导体上兼容的理论击穿38MV厘米的电场,预计巴利加因数大大的超过GaN和SiC同行的,以利用其特性,独自的天然底物的合成成本低
1.3三氧化二镓晶体的基本知识
氧化镓,也叫做三氧化二镓,氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,它的导电性能和发光的独特性质是人们一直以来所关注的问题,尤其的引人注意。Ga2O3是一种透明度好的氧化物半导体材料,在一些有关光电子方面有着相当广阔的前景用来应用和发展,被用在Ga基半导体材料中的绝缘层上,和一些紫外线滤光片上,他还可以用在O2化学探测器上。其他任何结构的特征的多晶型氧化镓都是一个包含了八面体镓的形式。
结晶的颗粒三角形状,颜色是白色。不能和水相溶。可以稍微溶解一点在热的酸里或是溶解在碱溶液中。熔点在1900度,比较容易溶进碱金属氢氧化物之中和无机酸里面,镓有α,β两种变体,α型为白色菱形六面体,在氟气中二氧化三镓是能够反应的,能够生成,三氧化二镓能够在百分之五十的氢氟酸中反应得到产物,二氧化三镓也能够稍微溶解在稀硝酸中,稀盐酸中,也可以溶解在硫酸中。
目录
 
第一章 绪论 1
1.1引言 1
1.2宽带半导体介绍 1
1.3三氧化二镓晶体的基本知识 1
1.3.1氧化镓的结构 2
1.3.2氧化镓的特性 2
1.3.3氧化镓的电学与光学特性 4
1.3.4氧化镓的实际应用 5
第二章 金属与半导体的接触特性 7
2.1金属与半导体的欧姆接触 7
2.2金属与半导体的肖特基接触 7
2.2.1肖特基接触的定义 8
2.2.2肖特基势垒 8
第三章 氧化镓与金属的接触特性 9
3.1氧化镓的制备 9
3.2氧化镓的欧姆接触特性 10
3.2.1氧化镓肖特基接触的特性 11
第四章 氧化镓欧姆接触的制备和改进 12
4.1欧姆接触的制备 12
4.2欧姆接触的改进 12
第五章 总结……………………………………………………………………15
4.1.论文总结………………………………………………………………………………17
致谢………………………………………………………………………………………..18
参考文献…………………………………………………………………………………..20
参考文献
【1】刘恩科, 朱秉升, 罗晋生等.?《半导体物理学》,西安交通大学出版社 1998-10-01.?
【2】李敏.《基于非等温能量平衡模型的PHEMT热特性数值研究》,南京航空航天大学 2014.?
【3】王文博.《GaN基器件欧姆接触的研究》,西安电子科技大学 2006.??
【4】徐海铭,秦征峰, 寇春梅,黄蕴.《后端工艺的N型欧姆接触》《电子与封装》 2012年3期.?
【5】郭永刚.《硅晶体欧姆接触特性研究》,河北工业大学 2011.??
【6】薛正辉 ... [等].《微波固态电路》,北京理工大学出版社 2004-04-01.?
【7】孙志远.《有机静电感应晶体管工作特性的研究》,哈尔滨理工大学 2008.?
【8】李倩.《GaN/PEDOT:PSS混合肖特基二极管特性研究》,西安电子科技大学 2013.??
【9】刘恩科, 朱秉升, 罗晋生.《半导体物理学》,国防工业出版社 1994-01-01.? 
【10】孟海杰.?《温度和电流应力条件下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触失效机理的研究》,北京工业大学 2010.
【11】郑珊.《基于原子层淀积高κ介质调制肖特基势垒的研究》,复旦大学 2014.
【12】薛正辉 ... [等].《微波固态电路》,北京理工大学出版社 2004-04-01.?
【13】张楠楠.《化学浴沉积法制备Cd掺杂Sb2S3+-薄膜及其光电
 
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